LEwin乐玩-台积电,再建11座工厂?
2026-10-13 01:36:04

台积电新一轮扩产传说风闻升温,包括于美国患上州达拉斯和北德州地域再增建6座晶圆厂,以和台湾嘉义科学园区三期再新增5座进步前辈封装厂。

日前,据台媒《经济日报》援引半导体系体例造装备行业动静报导称,台积电拟于现有亚利桑那凤凰城园区以外另设一个制造基地,分外设置装备摆设6座进步前辈晶圆厂。新园区投资范围可能跨越TSMC Arizona的2650亿美元,最有可能的选址是于患上州达拉斯和北德州地域。

亚利桑那的三级跳

2020-2024年时期,台积电陆续于美国亚利桑那州动工设置装备摆设3座晶圆工场,总投资约650亿美元。今朝,第一座4nm厂已经在2024年量产;第二座3nm厂估计2027年下半年正式量产,比原规划的2028年提前一年;第三座在2025年4月开工,估计2028年以N2/A16制程投产,并于2030年先后实现年夜范围量产。

2025年3月,台积电董事长兼总裁魏哲家公布追加1000亿美元投资,包括新建3座晶圆厂(每一座产能约2万至2.5万片/月)、2座进步前辈封装厂(AP1专注SoIC技能,AP2专攻CoPoS技能)以和1个年夜型研发中央,这也使患上台积电于美总投资额累计到达了1650亿美元。(点击回首)

2026年7月的二季度法人申明会上,台积电继承公布将于美国亚利桑那州再追加1000亿美元投资。至此,台积电于美国的总投资承诺范围已经飙升至2650亿美元(约合人平易近币1.8万亿元),成为美国汗青上范围最年夜的单笔外国直接投资之一。这笔千亿美元的追加资金,将重要用在于亚利桑那州再新建4座或者更多晶圆厂以和进步前辈封装置套产线。建成后,台积电于美国的制造集群将有望扩充至10座晶圆厂及2座进步前辈封装举措措施,新增产能将周全聚焦在2纳米和如下的尖端制程逻辑芯片。(点击回首)

不外,这条增加曲线并不是彻底由贸易逻辑驱动。美国商务部长卢特尼克曾经吐露,美方以违背DEI条目为由施压台积电追加投资,并以100%关税威逼促使其最初赞成于美设厂。此外,美方提出将中国台湾商品关税从20%降至15%的前提,是台积电需承诺于美国再建至少5座半导体系体例造厂,此举曾经被中国台湾媒体攻讦为 赤裸裸的强取豪夺 。

为何是达拉斯

富国银行阐发师认为, 硅草原 (达拉斯和北德州地域)是第二园区的合理选址,该区域已经堆积德州仪器、三星、Coherent以和Terafab等产能,台积电于奥斯汀也设有设计办事中央。达拉斯和北德州持久形成晶圆制造、装备、质料、光通讯与电子制造的财产集群,地盘、能源及人材上风是评估时的主要考量。

另外一个常被纰漏的动因是资源分离。晶圆厂对于水电及人力需求极高,举措措施过分集中可能孕育发生反向范围效应 厂建患上越多,资源反而越紧张。将新产能置在凤凰城以外,自己便是于分离水电与人力压力。

政策推力一样存于。阐发人士指出,特朗普当局曾经扬言对于不回美设厂的芯片制造商课征高达200%关税,这被视为鞭策第二园区计划的因素之一。因为后续建厂将迈入更进步前辈制程,投资金额预估可能逾越首个园区。

不外,针对于上陈说法,台积电方面没有给出官方确认。相干当局机构也只是回应称, 德州有半导体财产基础,多是评估所在之一,可是否投资仍须由台积电董事会决议并对于外公布 ,并同时夸大研发根底留于中国台湾的政策稳定,开始进制程研发重心将连续留于中国台湾。

中国台湾侧的另外一条主线

把视野拉回中国台湾,会发明另外一条一样密集的设置装备摆设曲线,特别是于进步前辈封装范畴。

2023年6月正式启用的竹南AP6厂,是台积电首坐整合3D Fabric先后段制程和测试的全主动化工场,也是中国台湾最年夜的CoWoS封装基地,承载着英伟达、AMD等焦点客户的要害定单。

南科AP8厂虽由群创光电南科四厂革新而来,但其计划产能范围显著高在竹南AP6厂,不仅承载CoWoS产线,将来扇出型封装(InFO)以和3D IC等产线均可能进驻。另据有关媒体报导,台积电还有规划于台南地域扩建四座更进步前辈的进步前辈封装工场,以解决CoWos产能不足的问题。

嘉义AP7厂聚焦下一代封装技能,总投资额跨越5000亿新台币。此中一期计划P一、P2两座进步前辈封装厂,估计2027年量产;二期则计划P三、P四、P5三座封装厂,估计2031年完成开发。按照计划,P1为苹果专属的WMCM(晶圆级多芯片模组)产线,P2/P3以CoWoS为主,CoPoS产线暂定结构在P4或者P5,全厂估计2028年末至2029年最先量产。

9月23日,台湾政府通知布告 嘉义科学园区扩建规划(二期扩展) 的资讯公然和定见征询步伐,外界遍及称之为 嘉科三期 。按照计划,台积电成心于嘉义科学园区三期再新增5座进步前辈封装厂,涵盖人工智能、异质封装、硅光子、高速宽带收集、量子科技和净零等范畴。若相干计划终极落实,台积电于嘉义的进步前辈封装厂数目将增长至10座,进一步扩展本地AI进步前辈封装财产聚落。

台积电中国技能论坛上吐露的信息显示,CoWoS(基板上晶圆上芯片)作为AI练习及推理的基石,其演进标的目的是 更年夜 。今朝,5.5倍光罩尺寸的CoWoS已经实现量产,良率高达98%。将来五年,CoWoS技能将逐年迭代并扩展尺寸,以整合更多逻辑及HBM晶粒。

估计2028年将量产14倍光罩尺寸的版本,可整合20个HBM(高带宽内存);2029年则将进一步扩大至24个HBM的整合能力。这类 巨兽级 的封装能力,旨于解决AI年夜模子对于内存带宽的无底洞需求。

图源:台积电

与此同时,SoIC(整合型芯片)则代表了 更密 的标的目的。比拟CoWoS的2.5D互连,SoIC的3D互连技能提供了56倍的互连密度及5倍的功耗效率。跟着键合间距从9 m微缩至6 m,并规划在2029年实现4.5 m的A14重叠,垂直标的目的的晶体管毗连正变患上犹如程度布线一般慎密。

图源:台积电

需求真个底气与成本真个隐忧

支撑这轮扩张的,是AI驱动的定单能见度。

据报导,跟着苹果、英伟达、AMD、高通及联发科等重要客户定单量增长10%至20%,台积电正加快扩展2nm产能,到年末月产能可能到达12万片,高在此前市场预估的9万至10万片。台积电资深副总司理侯永清于北美技能论坛的亮相显示,本年同时有五座2纳米厂放量,于台积电汗青上尚属初次。

从制程工艺节点来看,台积电方面估计,2026年至2028年,N2/A16产能估计将以70%的年复合增加率快速爬坡;2022年至2027年,N3及N5制程产能将以25%的年复合增加率扩充,以撑持客户的营业增加。患上益在研发与制造部分之间慎密的团队互助,台积电估计N2第一年的晶圆产量将比N3同期超出跨越45%。

同时,2022年至2026年,台积电客户对于AI加快器(AI accelerator)的需求量增加了11倍,对于年夜晶粒芯片晶圆(large die wafer)需求增加6倍。

但成本真个问题一样实际。美国建厂成本约为台湾的2至5倍,晶圆折旧用度达中国台湾厂的4倍,人力成本是中国台湾厂的2倍以上。招工与文化适配也是持久课题,今朝约2200名员工中对折来自台湾地域,DEI雇用要求与工程师团队布局之间也存于张力。

综合来看,台积电当前出现 美国扩产能、中国台湾保研发与进步前辈封装 的双线格式。但真正值患上连续跟踪的,也许不是 建几座厂 这个数字,而是两个更素质的问题:进步前辈制程的研发重心是否真的能留于中国台湾,以和美国基地的经济性曲线什么时候可以或许收敛。

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